功能描述：MOSFET N-CH 30V 34A

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：AlphaMOS

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：34A（Ta），70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：42nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2160pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），24W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

AOD552

AOD5B60D

AOD5B65M1

AOD5N40

AOD5N50

AOD5N50M

AOD5N50STK830D

AOD5T40P

AOD603

AOD603A